| 型号： | IRF7509TR | RoHS： | 否 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | International Rectifier | 描述： | MOSFET N+P 30V 2A MICRO8 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| IRF7509TR PDF |  |
| 产品目录绘图 | IR Hexfet Micro-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.7A，2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 110 毫欧 @ 1.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 210pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.25W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装 | Micro8? |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 其它名称 | *IRF7509TR IRF7509 IRF7509CT |